极紫外光刻 (EUVL) – 报告

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极紫外光刻 (EUVL) 是一项使用 13.5 nm 光源的先进技术,是 22 nm 节点的领先候选者 光刻 超越。 EUV 光刻 目前正处于芯片制造工厂使用 0.33-NA 工具的试验阶段。预计在不久的将来实现大规模生产。

EUV – 技术更新
  • 多重图案 
  • 原子层沉积 (ALD) 
  • 薄膜 
  • 被称为高NA 
  • 高NA平台,称为“EXE” 
EUV 光刻:下一步是什么?​
EUVL 的挑战是所有材料都会强烈吸收 EUV 辐射。 EUV 抗蚀剂的结构使得印刷发生在抗蚀剂表面的非常薄的成像层中。此外,EUV 抗蚀剂材料必须随着光源技术即将发展而发展。 

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