极紫外光刻 (EUVL) 是一项使用 13.5 nm 光源的先进技术，是 22 nm 节点的领先候选者 光刻 超越。 EUV 光刻 目前正处于芯片制造工厂使用 0.33-NA 工具的试验阶段。预计在不久的将来实现大规模生产。
EUV 光刻 工具使用等离子体源产生 13.5 nm 光子。
反射掩模上的图案被转移到涂有称为光致抗蚀剂的光敏材料的基板上。图案化技术在全反射光学配置的真空中进行。 制造印刷特征小于 32纳米。
极紫外光 来自等离子体的光被收集到收集器中，该收集器将光引导到称为“照明光学器件”的成形光学器件中。光照亮光掩模。照明光学器件包括多层镀膜的正入射镜和掠入射镜。
EUV 口罩 是 6 英寸见方、1/4 英寸厚的低热膨胀材料，具有多层反射涂层和蚀刻到电路层中的吸收层。 EUV掩模的反射图像进入包括六个或更多NA>0.25的多层反射镜的投影光学器件。
最终图像聚焦在涂有光敏抗蚀剂或光致抗蚀剂的硅晶片上。该系统在低碳氢化合物、高真空环境中运行。
面临的许多挑战包括光源、抗蚀剂和掩模基础设施以及开发经济的光刻工具。
抗蚀剂材料必须同时具有高分辨率、高灵敏度、低线边缘粗糙度 (LER) 和低释气。
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